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供应 AOD4N60 SOT252封装 4n60 N沟道MOS管 电流4A 电压600V
发布时间： 2019/7/9 17:05:39 | 473 次阅读
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 剪切带 (CT)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 4A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）： 2.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）： 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 640pF @ 25V
功率 - 值： 104W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： TO-252
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 剪切带 (CT)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 4A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）： 2.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）： 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 640pF @ 25V
功率 - 值： 104W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： TO-252