IRFB4227PBF 原装 IR 一系列

发布时间： 2019/4/15 9:27:42 | 424 次阅读

标准包装	50
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压（Vdss）	200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	65A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	24 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	98nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	4600pF @ 25V
功率 - 值	330W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220A 深圳市亚泰盈科电子有限公司联系人：罗丹妹 0755-83759893 QQ:2355705577 营各大品牌进口IC分销贸易主营品牌：TI 模拟数字信号处理器收发器接口音频器件与逻辑器件 AD 混合信号处理器数模转换器传感器音视频器件与处理器DSP NXP 放大器电源管理IC 二极管双极性晶体管数据转换媒体处理器微控制器MCU 可控硅整流 TOSSHIBA 通用逻辑IC CMOS逻辑IC 光电耦合器存储器 IR 整流器驱动器放大功率器 ST 存储器微控制器 MICHIPS MUC XILINX ALTERA LATTICE 可编程逻辑器件 HITTTIE RFMD 微波射频器件 SAMSUNG HYNIX Spansion ISSI 存储器DDR2 DDR3 为您提供一站式服务!