产品种类： IGBT 模块
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 2.7 V
在25 C的连续集电极电流： 1800 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 5 kW
工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM190
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极电压： +/- 20 V
工作温度： - 40 C

深圳市亚泰盈科电子有限公司
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