IGBT 类型： NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（值）： 1200V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)： 2.4V @ 15V，15A
电流 - 集电极 (Ic)（值）： 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)： 45A
功率 - 值： 186W
Switching Energy： 3.6mJ
输入类型： 标准
Gate Charge： 120nC
Td (on/off) A 25°C： 80ns/210ns
Test Condition： 600V, 15A, 20 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)： 210ns
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3PN

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